Improvement of thermal stability of InGaN/GaN multiple-quantum-well by reducing the density of threading dislocations
文献类型：期刊论文
| 作者 | J. Yang ; D.G. Zhao; D.S. Jiang ; S.T. Liu ; P. Chen ; J.J. Zhu ; F. Liang ; W. Liu ; M. Li |
| 刊名 | OPTICAL MATERIALS
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 85页码:14-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29335]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | J. Yang ; D.G. Zhao; D.S. Jiang ; S.T. Liu ; P. Chen ; J.J. Zhu ; F. Liang ; W. Liu ; M. Li. Improvement of thermal stability of InGaN/GaN multiple-quantum-well by reducing the density of threading dislocations[J]. OPTICAL MATERIALS,2018,85:14-17. |
| APA | J. Yang ; D.G. Zhao; D.S. Jiang ; S.T. Liu ; P. Chen ; J.J. Zhu ; F. Liang ; W. Liu ; M. Li.(2018).Improvement of thermal stability of InGaN/GaN multiple-quantum-well by reducing the density of threading dislocations.OPTICAL MATERIALS,85,14-17. |
| MLA | J. Yang ; D.G. Zhao; D.S. Jiang ; S.T. Liu ; P. Chen ; J.J. Zhu ; F. Liang ; W. Liu ; M. Li."Improvement of thermal stability of InGaN/GaN multiple-quantum-well by reducing the density of threading dislocations".OPTICAL MATERIALS 85(2018):14-17. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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