The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells
文献类型:期刊论文
作者 | S.T. Liu ; J. Yang ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; F. Liang ; P. Chen ; J.J. Zhu ; Z.S. Liu ; W. Liu ; Y. Xing ; L.Y. Peng ; L.Q. Zhang ; W.J. Wang ; M. Li ; Y.T. Zhang ; G.T. Du |
刊名 | Optical Materials
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出版日期 | 2018 |
卷号 | 86页码:460-463 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29325] ![]() |
专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | S.T. Liu ; J. Yang ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; F. Liang ; P. Chen ; J.J. Zhu ; Z.S. Liu ; W. Liu ; Y. Xing ; L.Y. Peng ; L.Q. Zhang ; W.J. Wang ; M. Li ; Y.T. Zhang ; G.T. Du. The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells[J]. Optical Materials,2018,86:460-463. |
APA | S.T. Liu ; J. Yang ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; F. Liang ; P. Chen ; J.J. Zhu ; Z.S. Liu ; W. Liu ; Y. Xing ; L.Y. Peng ; L.Q. Zhang ; W.J. Wang ; M. Li ; Y.T. Zhang ; G.T. Du.(2018).The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells.Optical Materials,86,460-463. |
MLA | S.T. Liu ; J. Yang ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; F. Liang ; P. Chen ; J.J. Zhu ; Z.S. Liu ; W. Liu ; Y. Xing ; L.Y. Peng ; L.Q. Zhang ; W.J. Wang ; M. Li ; Y.T. Zhang ; G.T. Du."The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells".Optical Materials 86(2018):460-463. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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