Phonon-limited mobility in two-dimensional semiconductors with spin-orbit coupling
文献类型:期刊论文
作者 | Chen, L ; Ma, ZS ; Cao, JC ; Zhang, TY ; Zhang, C |
刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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出版日期 | 2007 |
卷号 | 91期号:10页码:102115-102115 |
关键词 | INXGA1-XAS/INP QUANTUM-WELLS HETEROINTERFACE FIELD |
ISSN号 | 0003-6951 |
通讯作者 | Zhang, C, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China |
学科主题 | Physics, Applied |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2011-12-17 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/37343] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_太赫兹、微波射频技术_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, L,Ma, ZS,Cao, JC,et al. Phonon-limited mobility in two-dimensional semiconductors with spin-orbit coupling[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2007,91(10):102115-102115. |
APA | Chen, L,Ma, ZS,Cao, JC,Zhang, TY,&Zhang, C.(2007).Phonon-limited mobility in two-dimensional semiconductors with spin-orbit coupling.APPLIED PHYSICS LETTERS,91(10),102115-102115. |
MLA | Chen, L,et al."Phonon-limited mobility in two-dimensional semiconductors with spin-orbit coupling".APPLIED PHYSICS LETTERS 91.10(2007):102115-102115. |
入库方式: OAI收割
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