Interband impact ionization and nonlinear absorption of terahertz radiation in semiconductor heterostructures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cao, JC |
| 刊名 | PHYSICAL REVIEW LETTERS
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 91期号:23页码:237401-237401 |
| 关键词 | 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASES DRIVEN TRANSPORT SYSTEMS FIELD |
| ISSN号 | 0031-9007 |
| 通讯作者 | Cao, JC, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-12-17 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/37407]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_太赫兹、微波射频技术_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao, JC. Interband impact ionization and nonlinear absorption of terahertz radiation in semiconductor heterostructures[J]. PHYSICAL REVIEW LETTERS,2003,91(23):237401-237401. |
| APA | Cao, JC.(2003).Interband impact ionization and nonlinear absorption of terahertz radiation in semiconductor heterostructures.PHYSICAL REVIEW LETTERS,91(23),237401-237401. |
| MLA | Cao, JC."Interband impact ionization and nonlinear absorption of terahertz radiation in semiconductor heterostructures".PHYSICAL REVIEW LETTERS 91.23(2003):237401-237401. |
入库方式： OAI收割
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