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Simulation of semiconductor intersubband Raman laser

文献类型:期刊论文

作者Wu, BH ; Cao, JC ; Xia, GQ
刊名JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
出版日期2003
卷号94期号:9页码:5710-5714
关键词MULTIPLE-QUANTUM WELLS OPTICAL-PHONON MODES HETEROSTRUCTURE TRANSITIONS GAIN
ISSN号0021-8979
通讯作者Wu, BH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China
学科主题Physics, Applied
收录类别SCI
语种英语
公开日期2011-12-17
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/37409]  
专题上海微系统与信息技术研究所_太赫兹、微波射频技术_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Wu, BH,Cao, JC,Xia, GQ. Simulation of semiconductor intersubband Raman laser[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2003,94(9):5710-5714.
APA Wu, BH,Cao, JC,&Xia, GQ.(2003).Simulation of semiconductor intersubband Raman laser.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,94(9),5710-5714.
MLA Wu, BH,et al."Simulation of semiconductor intersubband Raman laser".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 94.9(2003):5710-5714.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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