Interband impact ionization in THz-driven InAs/AlSb heterostructures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cao,JC ; Lei,XL ; Li,AZ ; Qi,M ; Liu,HC |
| 刊名 | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 17期号:3页码:215-218 |
| 关键词 | BALANCE-EQUATION APPROACH QUANTUM-WELLS TRANSPORT |
| ISSN号 | 0268-1242 |
| 通讯作者 | Cao, JC, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Met, State Key Lab Funct Mat Informat, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering ; Electrical & Electronic; Materials Science ; Multidisciplinary; Physics ; Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2011-12-17 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/39017]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_太赫兹、微波射频技术_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao,JC,Lei,XL,Li,AZ,et al. Interband impact ionization in THz-driven InAs/AlSb heterostructures[J]. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2002,17(3):215-218. |
| APA | Cao,JC,Lei,XL,Li,AZ,Qi,M,&Liu,HC.(2002).Interband impact ionization in THz-driven InAs/AlSb heterostructures.SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,17(3),215-218. |
| MLA | Cao,JC,et al."Interband impact ionization in THz-driven InAs/AlSb heterostructures".SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 17.3(2002):215-218. |
入库方式： OAI收割
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