Adjustable high-speed insulated gate bipolar transistor
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang,F ; Shi,LN ; Li,CF ; Zhang,L ; Wang,W ; Yu,W ; Sun,XW |
| 刊名 | IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 34期号:3页码:1021-1025 |
| 关键词 | COLLECTOR |
| ISSN号 | 0093-3813 |
| 通讯作者 | Zhang, F, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics ; Fluids & Plasmas |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2011-12-17 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/39037]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_太赫兹、微波射频技术_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang,F,Shi,LN,Li,CF,et al. Adjustable high-speed insulated gate bipolar transistor[J]. IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE,2006,34(3):1021-1025. |
| APA | Zhang,F.,Shi,LN.,Li,CF.,Zhang,L.,Wang,W.,...&Sun,XW.(2006).Adjustable high-speed insulated gate bipolar transistor.IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE,34(3),1021-1025. |
| MLA | Zhang,F,et al."Adjustable high-speed insulated gate bipolar transistor".IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE 34.3(2006):1021-1025. |
入库方式： OAI收割
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