一种底部三面保护的硅尖制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 王浙辉 ; 王跃林 |
| 发表日期 | 2003-01-15 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1391234 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种硅尖的制作方法，更确切地说，涉及一种底部三面保护的制作硅尖方法，其特征在于：(1)在(100)硅片正面和背面，挖二条相交的槽，然后用二氧化硅保护槽的表面和硅片的正面和背面，形成二个侧面和一个硅片背面的三面保护；(2)然后，光刻正面在各向异性液中自硅片的上表面向下的各向异性腐蚀，当腐蚀深度到达底部两个槽的顶部以后，腐蚀限制在三个方向上，最后形成由一个慢腐蚀面和每条槽的一个侧面的三个面围成的硅尖。两相交的槽可以呈任意角，最常用的是90度腐蚀方向被限制在x、y、-z三个方向。本发明具有制作工艺简单 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2003-01-15 |
| 申请日期 | 2002-07-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 02136132.0 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/47811]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王浙辉,王跃林. 一种底部三面保护的硅尖制作方法. CN1391234. 2003-01-15. |
入库方式： OAI收割
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