氢氧化钾溶液对(100)硅上<100>晶向的凸角补偿方法
文献类型：专利
| 作者 | 李昕欣 ; 王浙辉 ; 王跃林 |
| 发表日期 | 2003-09-17 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1442511 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氢氧化钾溶液对(100)硅上<100>晶向的凸角补偿方法，属于微机械领域。其特征在于本发明提出了“工”字形和“Y”形二种凸角补偿方法，给出相应的计算公式。“工”形补偿可获得方正的反射面，“Y”形补偿的微镜，反射面呈底角为75.96°的图形。经补偿后的微镜，能消除或减轻KOH腐蚀的微镜削角问题，可提高光开关切换光束效率。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2003-09-17 |
| 申请日期 | 2003-04-11 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 03116372.6 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/47837]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李昕欣,王浙辉,王跃林. 氢氧化钾溶液对(100)硅上<100>晶向的凸角补偿方法. CN1442511. 2003-09-17. |
入库方式： OAI收割
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