一种厚膜绝缘层上硅材料的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张峰 ; 程新利 ; 林志浪 ; 王永进 |
| 发表日期 | 2003-09-03 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1440052 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及制备厚膜SOI(Silicon on insulator)材料的方法，其特征在于利用SIMOX技术制备的薄SOI材料作为衬底，然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。用该方法制备的SOI材料可以用作光波导材料，外延层厚度可以根据需要控制，外延层表面平整度优于用键合减薄方法制备的SOI材料。外延生长时可以选用SiCl4，SiHCl3，SiH2Cl2或SiH4作为硅源，外延掺杂类型可以根据 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2003-09-03 |
| 申请日期 | 2003-03-14 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 03115827.7 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/47841]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张峰,程新利,林志浪,等. 一种厚膜绝缘层上硅材料的制备方法. CN1440052. 2003-09-03. |
入库方式： OAI收割
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