双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 章宁琳 ; 宋志棠 ; 林成鲁 ; 汪洋 |
| 发表日期 | 2002-12-04 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1383003 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种具有双绝缘埋层SOI基的二维光子晶体波导及制备方法，属于光电子技术领域。特征在于顶层硅上形成具有线缺陷的二维周期结构，介质为Si或为硅和能与Si构成折射率差大于2的介质材料；周期常数a：0.18～0.5μm，介质孔径d：0.225～0.9μm；线缺陷宽度w＝1.5～3a。双绝缘埋层为SiO2/Si3N4，或SiO2/Al2O3，或SiO2/ |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2002-12-04 |
| 申请日期 | 2002-05-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 02111827.2 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/47887]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章宁琳,宋志棠,林成鲁,等. 双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法. CN1383003. 2002-12-04. |
入库方式： OAI收割
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