采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
文献类型：专利
| 作者 | 王新中 ; 于广辉 ; 雷本亮 ; 林朝通 ; 王笑龙 ; 齐鸣 |
| 发表日期 | 2008-07-30 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101229912 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种利用干法刻蚀氮化镓纳米线阵列的方法，其特征在于采 用了金属Ni纳米粒子点阵作为掩膜，而Ni纳米粒子点阵是通过阳极氧化铝 来制作的。在GaN纳米线阵列的制作中，先在GaN模板上沉积一层金属Al， 再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝，接着电子束蒸发一层金属Ni 层，然后用碱溶液去除阳极氧化铝。由于阳极氧化铝的孔排列和孔径大小分 布都很均匀，这样就在GaN模板上得到了金属Ni纳米粒子的点阵。然后把 这个模板置于感应耦合等离子体或反应离子刻蚀的反应腔中进行刻蚀，最后 再用酸去除Ni纳米粒子就得到 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-07-30 |
| 申请日期 | 2007-12-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710173110.8 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/47971]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王新中,于广辉,雷本亮,等. 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法. CN101229912. 2008-07-30. |
入库方式： OAI收割
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