局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨文伟 ; 俞跃辉 ; 董业民 ; 程新红 |
| 发表日期 | 2005-01-05 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1560925 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提出了一种局部绝缘体上的硅(partial SOI)制作功率器件，一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LDMOS)的结构及实现方法。这种局部SOI LDMOS器件的结构特征在于源端远离沟道区的下方无埋氧，有利于散热；源端和沟道区下方的埋氧是连续的而且具有同一厚度；漏端的埋氧与沟道区埋氧虽然连续，但是具有不同的厚度。这种结构克服了常规SOI器件的自热效应，而且提高了器件的击穿电压，降低了源漏电容，提高了器件的频率特性。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2005-01-05 |
| 申请日期 | 2004-02-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200310108977.7 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48011]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨文伟,俞跃辉,董业民,等. 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法. CN1560925. 2005-01-05. |
入库方式： OAI收割
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