一种绝缘层上硅结构及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 安正华 ; 林成鲁 ; 张苗 ; 刘卫丽 ; 门传玲 |
| 发表日期 | 2005-01-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1564308 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种绝缘体上硅结构及制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于先后通过Al薄膜沉积、键合、离子注入，结合热处理等技术来制备以氮化铝或氧化铝或AlN、Al2O3、Si3N4或SiO2中两种或多种复合层为埋层的SOI结构衬底材料，即先在硅片表面淀积Al薄膜，然后通过键合技术实现层转移，最后经N或O离子注入形成所需埋层材料。所制备的绝缘层上硅结构由三层构成，顶层为单晶硅层，厚度为20-2000n |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2005-01-12 |
| 申请日期 | 2004-03-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200410017080.8 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48015]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安正华,林成鲁,张苗,等. 一种绝缘层上硅结构及制备方法. CN1564308. 2005-01-12. |
入库方式： OAI收割
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