双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途
文献类型：专利
| 作者 | 林志浪 ; 张峰 ; 程新利 ; 董业民 ; 陈猛 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2005-01-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1564323 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于：具有双埋层结构，下埋层为连续的绝缘埋层，上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.05～0.4μm，而在不存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.6～20μm，制备方法是以注氧隔离技术制备的具有连续埋层的SOI材料为衬底，硅气相外延生长获得较厚的单晶硅层，再采用图形化SIMOX工艺得到不连续的上埋层结构，或再结合反应离子刻蚀技术以及硅选择性外延工艺将上埋层结构的连续状况转变为不连续的。所制备的 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2005 |
| 申请日期 | 2004-03-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200410017239.6 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48017]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林志浪,张峰,程新利,等. 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途. CN1564323. 2005-01-12. |
入库方式： OAI收割
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