基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 狄增峰 ; 安正华 ; 张苗 ; 林成鲁 |
| 发表日期 | 2005-03-02 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1588619 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海新傲科技有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及制备方法。特征在于以单晶锗硅薄膜取代传统的材料中的顶层单晶硅薄膜，形成以单晶锗硅薄膜为顶层半导体膜的更广义的新型衬底材料。制备方法是首先向单晶硅片中注入氧离子，然后在注氧硅片上生长Ge或SiGe薄膜，再在最上面生长Si或Si3N4或SiO2保护层，经高温退火，在注入的氧在硅中形成氧化硅埋层的同时，表面Si薄膜氧化为SiO2或保持原来的保护层结构，Ge从原来的Ge或SiGe沉 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2005-03-02 |
| 申请日期 | 2004-09-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200410066673.3 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48055]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 狄增峰,安正华,张苗,等. 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法. CN1588619. 2005-03-02. |
入库方式： OAI收割
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