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二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法

文献类型:专利

作者冯飞 ; 熊斌 ; 杨广立 ; 王跃林
发表日期2006-07-26
专利国别中国
专利号CN1807221
专利类型发明
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要本发明涉及一种XeF2腐蚀过程中锚的制作方法,其特征在于将SiO2、SiNx、SiC、Au、 Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围,形成所需要的锚;或者直 接采用XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作锚。锚结构有五种:锚由硅材料和覆盖在其周围 的保护层材料构成;锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及填充层材料构成;锚由保护 层材料及填充层材料构成;锚是由保护层材料构成的柱体;锚是由保护层材料构成的薄
是否PCT专利
公开日期2006-07-26
申请日期2005-12-29
语种中文
专利申请号200510112298.6
专利代理潘振甦
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48141]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
冯飞,熊斌,杨广立,等. 二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法. CN1807221. 2006-07-26.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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