提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法
文献类型：专利
| 作者 | 冯涛 ; 王曦 ; 戴丽娟 ; 蒋军 ; 柳襄怀 |
| 发表日期 | 2006-07-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1808670 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种提高印刷法制备的碳纳米管(CNT)薄膜阴极的场致电子发射性能的处 理方法，通过二次热处理工艺与表面提拉工艺，除去CNT薄膜中所含的杂质，在CNT与 衬底间形成良好的机械接触和电接触，并使表面CNT垂直于衬底表面，从而使CNT薄膜 的场致电子发射性能得到显著改善，即使电子发射的阈值场强降低了2倍多，发射电流密 度提高25～30倍左右，电子发射的点密度提高3个数量级以上且均匀性明显提高。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-07-26 |
| 申请日期 | 2005-12-16 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510111620.3 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48143]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯涛,王曦,戴丽娟,等. 提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法. CN1808670. 2006-07-26. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。