一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺
文献类型：专利
| 作者 | 宋志棠 ; 刘奇斌 ; 张楷亮 ; 封松林 ; 陈邦明 |
| 发表日期 | 2006-08-09 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1815363 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其 刻蚀液的组成为：酸溶液为1～30％，氧化剂为0.5％～10％，络合剂为0.05％～ 10％，表面活性剂0.1～5％(均为wt％)，余量为去离子水。湿法刻蚀工艺步骤为： (1)清洗氧化硅片，依次沉积Ti或TiN，Pt或Au，以及相变材料膜；(2)在 相变薄膜上光刻成图形；(3)沉积金属Pt或Au；(4)用剥离工艺去除曝光之外 的金属Pt或Au；(5)用刻蚀液刻蚀相变材料；(6)沉积SiO2，形成的器件结构。 本工艺充分 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-08-09 |
| 申请日期 | 2006-03-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610024251.9 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48147]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,刘奇斌,张楷亮,等. 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺. CN1815363. 2006-08-09. |
入库方式： OAI收割
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