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一种基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法

文献类型:专利

作者冯飞 ; 熊斌 ; 杨广立 ; 王跃林
发表日期2006-08-16
专利国别中国
专利号CN1819291
专利类型发明
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要本发明涉及一种新的基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法,其特征在于 采用硅作为牺牲层,采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料来 制作像素的双材料支撑梁和红外敏感部分,采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2 气体几乎不腐蚀的材料制作锚或对锚进行保护,最后采用XeF2气体腐蚀硅牺牲层释放像
是否PCT专利
公开日期2006-08-16
申请日期2005-12-29
语种中文
专利申请号200510112299.0
专利代理潘振甦
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48153]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
冯飞,熊斌,杨广立,等. 一种基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法. CN1819291. 2006-08-16.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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