可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 宋志棠 ; 刘波 ; 徐成 ; 徐嘉庆 ; 刘卫丽 ; 封松林 ; 陈邦明 |
| 发表日期 | 2006-01-18 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1722462 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及 制备方法。主要利用相变材料的半导体特性，通过对相对稳定且易微细加工 的可逆相变材料所具有的N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场 效应晶体管，利用纳米加工技术，在晶体管的源、漏上制备10-100nm的引 出电极，这样就可实现构成相变存储单元的1R1T(一个可逆相变电阻，一 个场效应晶体管)在结构上的一体化与功能上的集成，可有效提高相变存储 器的集成度。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-01-18 |
| 申请日期 | 2005-06-08 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510026541.2 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48195]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,刘波,徐成,等. 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法. CN1722462. 2006-01-18. |
入库方式： OAI收割
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