磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法
文献类型：专利
| 作者 | 李爱珍 ; 林春 ; 李华 ; 李存才 ; 胡建 ; 顾溢 ; 张永刚 ; 徐刚毅 |
| 发表日期 | 2006-02-08 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1731637 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及用气态源分子束外延技术生长含砷含磷量子级联激光器结 构原子层尺度外延材料质量控制方法。包括：(1)外延层原子层界面砷/磷原 子混凝控制方法；(2)外延层的组份均匀性的控制；(3)外延层厚度的控制以 及(4)外延层施主掺杂的控制方法。上述四方面质量控制已成功地用气态 源分子束外延一步生长方法制备出一系列25级至100级含400-2200层的 中红外波段InP基含砷含磷InP/InAlAs/InGaAs量子级联激光器结构材料。 所制备的400-2200层的QCL结构都能做出优质器件，表明本发明的QC |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-02-08 |
| 申请日期 | 2005-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510029274.4 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48207]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李爱珍,林春,李华,等. 磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法. CN1731637. 2006-02-08. |
入库方式： OAI收割
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