氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 雷本亮 ; 于广辉 ; 齐鸣 ; 叶好华 ; 孟胜 ; 李爱珍 |
| 发表日期 | 2006-02-22 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1737195 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中的金属 插入层及制备方法，其特征在于采用了金属钨(W)插入层的结构。在HVPE 制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后经高 温退火后继续HVPE生长GaN层。金属钨插入层的引入，作用是产生微区 掩膜，金属W薄膜在高温下会发生团聚，同时与W接触的下层的GaN会分 解，使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜， 由于气相外延的选择性，HVPE生长时GaN将选择生长在下层的GaN上， 然后经过横向外延生长过 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-02-22 |
| 申请日期 | 2005-07-29 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510028366.0 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48217]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷本亮,于广辉,齐鸣,等. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法. CN1737195. 2006-02-22. |
入库方式： OAI收割
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