直接或间接带隙组成的Ⅲ-V族含铝化合物的掺杂及方法
文献类型：专利
| 作者 | 李爱珍 ; 郑燕兰 ; 李华 ; 胡雨生 ; 张永刚 ; 茹国平 ; 陈正秀 |
| 发表日期 | 2006-02-22 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1737998 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III-V族 含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb 多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了 在磷化铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含铝多元 系III-V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑在全全铝组份变化范 围(0≤XAl≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙，在保 持恒定的施主束流强度下，其施主浓度随铝组份变化可相 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-02-22 |
| 申请日期 | 2005-08-25 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510029096.5 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48221]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李爱珍,郑燕兰,李华,等. 直接或间接带隙组成的Ⅲ-V族含铝化合物的掺杂及方法. CN1737998. 2006-02-22. |
入库方式： OAI收割
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