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直接或间接带隙组成的Ⅲ-V族含铝化合物的掺杂及方法

文献类型:专利

作者李爱珍 ; 郑燕兰 ; 李华 ; 胡雨生 ; 张永刚 ; 茹国平 ; 陈正秀
发表日期2006-02-22
专利国别中国
专利号CN1737998
专利类型发明
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III-V族 含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法,具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb 多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了 在磷化铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含铝多元 系III-V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑在全全铝组份变化范 围(0≤XAl≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙,在保 持恒定的施主束流强度下,其施主浓度随铝组份变化可相
是否PCT专利
公开日期2006-02-22
申请日期2005-08-25
语种中文
专利申请号200510029096.5
专利代理潘振甦
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48221]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
李爱珍,郑燕兰,李华,等. 直接或间接带隙组成的Ⅲ-V族含铝化合物的掺杂及方法. CN1737998. 2006-02-22.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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