氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 雷本亮 ; 于广辉 ; 齐鸣 ; 叶好华 ; 孟胜 ; 李爱珍 |
| 发表日期 | 2006-03-08 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1744287 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作 为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为GaN横向外延 过生长的掩膜。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上沉积一层 金属Al薄层，然后经电化学的方法阳极氧化后形成均匀的多孔网状阳极氧 化铝，再放入HVPE系统中生长GaN层。多孔阳极氧化铝由于其孔径小 (10nm～200nm)、陡直且分布均匀，可作为一种微区掩膜。由于气相外延 的选择性，HVPE生长GaN时将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向 外延生长过程连接成完整的 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-03-08 |
| 申请日期 | 2005-07-29 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510028370.7 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48225]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷本亮,于广辉,齐鸣,等. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法. CN1744287. 2006-03-08. |
入库方式： OAI收割
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