一种含隧道结的垂直腔型光电子器件
文献类型：专利
| 作者 | 吴惠桢 ; 黄占超 ; 劳燕锋 ; 刘成 ; 齐鸣 ; 封松林 |
| 发表日期 | 2006-05-31 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1780004 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件，其特征在于将隧道结置于垂直 腔型半导体光电子器件的微腔中，利用隧道结的反向电流遂穿特性，实现用N 型的分布反馈布拉格腔镜(DBR)取代P型的DBR腔镜，能有效降低垂直腔器 件的串联电阻，限制侧向电流的扩散，提高电流注入有源区的均匀性，降低器件 的阈值电流密度，改善器件的热特性，隧道结的材料采用均匀掺杂或多次δ掺杂， 垂直腔型半导体光电子器件的顶部和底部腔镜采用III-V族半导体多层薄膜膜构 成的DBR、光学介质膜DBR、高反射率金属膜、半导体薄膜/空气隙DBR中的 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-05-31 |
| 申请日期 | 2005-10-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510030638.0 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48247]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,黄占超,劳燕锋,等. 一种含隧道结的垂直腔型光电子器件. CN1780004. 2006-05-31. |
入库方式： OAI收割
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