一种含隧道结的垂直腔型光电子器件
文献类型:专利
作者 | 吴惠桢 ; 黄占超 ; 劳燕锋 ; 刘成 ; 齐鸣 ; 封松林 |
发表日期 | 2006-05-31 |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN1780004 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件,其特征在于将隧道结置于垂直 腔型半导体光电子器件的微腔中,利用隧道结的反向电流遂穿特性,实现用N 型的分布反馈布拉格腔镜(DBR)取代P型的DBR腔镜,能有效降低垂直腔器 件的串联电阻,限制侧向电流的扩散,提高电流注入有源区的均匀性,降低器件 的阈值电流密度,改善器件的热特性,隧道结的材料采用均匀掺杂或多次δ掺杂, 垂直腔型半导体光电子器件的顶部和底部腔镜采用III-V族半导体多层薄膜膜构 成的DBR、光学介质膜DBR、高反射率金属膜、半导体薄膜/空气隙DBR中的 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2006-05-31 |
申请日期 | 2005-10-19 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200510030638.0 |
专利代理 | 潘振甦 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48247] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,黄占超,劳燕锋,等. 一种含隧道结的垂直腔型光电子器件. CN1780004. 2006-05-31. |
入库方式: OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。