中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
一种含隧道结的垂直腔型光电子器件

文献类型:专利

作者吴惠桢 ; 黄占超 ; 劳燕锋 ; 刘成 ; 齐鸣 ; 封松林
发表日期2006-05-31
专利国别中国
专利号CN1780004
专利类型发明
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件,其特征在于将隧道结置于垂直 腔型半导体光电子器件的微腔中,利用隧道结的反向电流遂穿特性,实现用N 型的分布反馈布拉格腔镜(DBR)取代P型的DBR腔镜,能有效降低垂直腔器 件的串联电阻,限制侧向电流的扩散,提高电流注入有源区的均匀性,降低器件 的阈值电流密度,改善器件的热特性,隧道结的材料采用均匀掺杂或多次δ掺杂, 垂直腔型半导体光电子器件的顶部和底部腔镜采用III-V族半导体多层薄膜膜构 成的DBR、光学介质膜DBR、高反射率金属膜、半导体薄膜/空气隙DBR中的
是否PCT专利
公开日期2006-05-31
申请日期2005-10-19
语种中文
专利申请号200510030638.0
专利代理潘振甦
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48247]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
吴惠桢,黄占超,劳燕锋,等. 一种含隧道结的垂直腔型光电子器件. CN1780004. 2006-05-31.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。