在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨恒 ; 许科峰 ; 李铁 ; 焦继伟 ; 李昕欣 ; 王跃林 |
| 发表日期 | 2006-06-28 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1792765 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于 巧妙利用了(110)晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图 形与(112)晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀 液对(111)晶面的低速腐蚀减小宽度，在(110)绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小 于光刻最小线宽、侧壁为(111)晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地 控制锚点和驱动电极的形貌。利用本发明可以制成宽度小于100纳米的纳米梁， 在纳米梁两侧制作驱动/敏感电极，从而实现纳米谐振结构。由于 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-06-28 |
| 申请日期 | 2005-12-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510112436.0 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48257]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨恒,许科峰,李铁,等. 在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其制作方法. CN1792765. 2006-06-28. |
入库方式： OAI收割
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