一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
文献类型：专利
| 作者 | 雷本亮 ; 于广辉 ; 齐鸣 ; 叶好华 ; 孟胜 ; 李爱珍 |
| 发表日期 | 2006-09-13 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1832112 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种改变氢化物气相外延(HVPE)生长的氮化镓(GaN)外延 层极性的方法，其特征在于采用了中断HCl生长的方法。在HVPE制备GaN膜 的过程中，先在高温下通NH3氮化蓝宝石(Sapphire)，再通HCl生长GaN，此 时生长的GaN薄膜表面显示为N极性。生长一段时间后关闭HCl而持续NH3 气体1～60min，再打开HCl继续进行生长GaN薄膜。如此反复操作2～10次， 则GaN的极性将由表面粗糙的N极性转变为表面光滑Ga极性，而且其位错密 度降 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-09-13 |
| 申请日期 | 2006-02-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610024155.4 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48273]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷本亮,于广辉,齐鸣,等. 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法. CN1832112. 2006-09-13. |
入库方式： OAI收割
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