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一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法

文献类型:专利

作者雷本亮 ; 于广辉 ; 齐鸣 ; 叶好华 ; 孟胜 ; 李爱珍
发表日期2006-09-13
专利国别中国
专利号CN1832112
专利类型发明
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要本发明涉及一种改变氢化物气相外延(HVPE)生长的氮化镓(GaN)外延 层极性的方法,其特征在于采用了中断HCl生长的方法。在HVPE制备GaN膜 的过程中,先在高温下通NH3氮化蓝宝石(Sapphire),再通HCl生长GaN,此 时生长的GaN薄膜表面显示为N极性。生长一段时间后关闭HCl而持续NH3 气体1~60min,再打开HCl继续进行生长GaN薄膜。如此反复操作2~10次, 则GaN的极性将由表面粗糙的N极性转变为表面光滑Ga极性,而且其位错密 度降
是否PCT专利
公开日期2006-09-13
申请日期2006-02-24
语种中文
专利申请号200610024155.4
专利代理潘振甦
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48273]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
雷本亮,于广辉,齐鸣,等. 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法. CN1832112. 2006-09-13.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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