一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
文献类型：专利
| 作者 | 王笑龙 ; 于广辉 ; 隋妍萍 ; 雷本亮 ; 齐鸣 ; 李爱珍 |
| 发表日期 | 2006-09-27 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1838384 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法， 其特征在于在是将刻蚀受损的GaN基材料在高真空设备中热退火的同时通入等 离子态氮处理，退火温度为用MBE(分子束外延)法生长氮化物外延层的典型 生长温度(650～800℃)。真空度为用MBE法生长氮化物外延层的典型真空度 (生长室背景压力约为10-9torr，通入氮等离子体时压力为8*10-5torr。)。该方法 不仅改善了晶体内部结晶质量，而且有利于去除沉积在材料表面的刻蚀产物，使 表面的氮 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-09-27 |
| 申请日期 | 2006-03-10 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610024615.3 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48277]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王笑龙,于广辉,隋妍萍,等. 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法. CN1838384. 2006-09-27. |
入库方式： OAI收割
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