提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法
文献类型：专利
| 作者 | 张恩霞 ; 张正选 ; 王曦 林成鲁 林梓鑫 ; 钱聪 ; 贺威 |
| 发表日期 | 2008-03-05 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | 1845308 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及提高MOS晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法,属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后,以及预栅氧之前,在场区氧化层中室温下注入氮、氟、硅或锗离子中的一种或者它们的组合,在惰性气氛的保护下,于800～1000℃的温度退火30～60min,然后正常进行后续工艺,注入的能量和剂量根据场氧化层的厚度决定;在氧化层中引入深电子陷阱,避免了边缘漏电流,减小了辐射产生正电荷对器件的影响,从而提高了器件的抗总 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-03-05 ; 2008-03-05 ; 2008-03-05 ; 2008-03-05 |
| 申请日期 | 2006-03-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610024846.4 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48285]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张恩霞,张正选,王曦 林成鲁 林梓鑫,等. 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法. 1845308. 2008-03-05. |
入库方式： OAI收割
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