金属化学机械抛光的抛光液原位批处理方法及所使用的装置
文献类型：专利
| 作者 | 张楷亮 ; 宋志棠 ; 封松林 ; 陈邦明 |
| 发表日期 | 2007-02-21 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1915595 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构金属化学机械抛光(CMP) 的抛光液原位批处理方法及所使用的装置。创新点在于利用电化学工作原 理，将抛光产生的金属离子还原转移达到去除的目的，同时恢复抛光液中氧 化剂的功能。所述的装置是在传统的单头或多头抛光系统中，增加抛光液原 位批处理系统和抛光盘的在线修复，使抛光速率和抛光过程均匀性信息在线 检测，将现有抛光工序和抛光液原处理工序集为一体。与现有抛光液一次性 消耗工艺相比，不仅可以减少抛光液的消耗，而且可以减少抛光液后处理所 带来的不便，是解决集成电路化学机械抛光 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2007-02-21 |
| 申请日期 | 2006-08-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610030551.8 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48343]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张楷亮,宋志棠,封松林,等. 金属化学机械抛光的抛光液原位批处理方法及所使用的装置. CN1915595. 2007-02-21. |
入库方式： OAI收割
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