一种光读出非致冷红外成像阵列器件及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨广立 ; 冯飞 ; 熊斌 ; 王跃林 |
| 发表日期 | 2007-02-21 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1915796 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种光读出非致冷红外成像阵列器件及其制作方法，其特征 在于：由硅衬底上一系列像素单元组成，每个像素单元的两个锚柱立于硅衬 底上，支撑像素单元，两条绝热梁一端与锚柱相连接，另一端与“双材料梁 -微镜一体化”结构相连接，像素单元与硅衬底之间的间隙构成了红外吸 收共振腔；所述阵列器件的制作是首先首先在硅衬底上制作出锚柱，然后根 据所选牺牲层腐蚀法用而选择是否生长保护层和选择哪种材料作保护层，然 后沉积牺牲层材料和制作结构所需材料，制作出像素单元图形后，再腐蚀掉 牺牲层材料，进行结构释放。通过BMB-M |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2007-02-21 |
| 申请日期 | 2006-09-08 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610030990.9 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48345]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨广立,冯飞,熊斌,等. 一种光读出非致冷红外成像阵列器件及其制作方法. CN1915796. 2007-02-21. |
入库方式： OAI收割
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