一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法
文献类型：专利
| 作者 | 吴惠桢 ; 曹萌 ; 劳燕锋 ; 黄占超 ; 刘成 ; 谢正生 |
| 发表日期 | 2007-03-21 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1933263 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种提高III-V族应变多量子阱发光强度的方法，其特征是 通过离子刻蚀方法增强III-V族发光材料的发光亮度。离子刻蚀覆盖层采用 感应耦合等离子体(ICP)或反应离子(RIE)等刻蚀技术。刻蚀所采用的气体 为Ar离子或Ar离子和Cl2气的混合气体。干法刻蚀后，刻蚀表面至量子阱 层的距离大于刻蚀损伤深度时，量子阱干法刻蚀部位发光强度得到明显增 强。本发明提供的方法适用的III-V族化合物材料是由气态源分子束外延 (GSMBE)或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法生长所 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2007-03-21 |
| 申请日期 | 2006-10-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610117154.4 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48355]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,曹萌,劳燕锋,等. 一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法. CN1933263. 2007-03-21. |
入库方式： OAI收割
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