采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法
文献类型：专利
| 作者 | 欧欣 ; 王曦 ; 陈静 ; 孙佳胤 ; 武爱民 |
| 发表日期 | 2007-07-25 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101005110 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的 方法。本发明采用扩散键合形式的金属键合工艺使在蓝宝石上生长制作的氮 化镓发光二极管键合到低阻硅片上并实现欧姆接触。本发明通过采用扩散键 合形式的金属键合工艺实现硅基氮化镓发光二极管的制作，具有键合工艺稳 定、器件良率高、面积小且充分利用发光层的材料、衬底导电且导热性好的 优点。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2007-07-25 |
| 申请日期 | 2007-01-12 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710036455.9 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48413]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧欣,王曦,陈静,等. 采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法. CN101005110. 2007-07-25. |
入库方式： OAI收割
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