硅基Al2O3薄膜芯片电容器及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 王伟 ; 孙晓玮 ; 谈惠祖 ; 周健 ; 孙浩 |
| 发表日期 | 2011-07-06 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102117699A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，可用于微波和射频电路中，起旁路和滤波作用。该芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷为靶材，在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜，接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层，再经电镀Au加厚后，通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形，根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄，在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极，划片后制作成芯片电容。该电容具用高Q值 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-07-06 |
| 申请日期 | 2010-12-15 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010590616.0 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48515]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王伟,孙晓玮,谈惠祖,等. 硅基Al2O3薄膜芯片电容器及制作方法. CN102117699A. 2011-07-06. |
入库方式： OAI收割
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