SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 程新红 ; 何大伟 ; 王中健 ; 徐大伟 ; 夏超 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 |
| 发表日期 | 2011-07-20 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102130012A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法，该方法采用SOI衬底对顶层硅进行离子注入形成交替排列的N型和P型柱区，作为漂移区的横向超结结构；然后利用多次离子注入方式对所述顶层硅中除漂移区以外的部分掺杂，形成P阱体区，制作出栅区；之后不采用版图，利用自对准工艺直接对所述SOI衬底露出的顶层硅表面进行浅掺杂N型离子注入，从而同时在漂移区的表层形成浅掺杂N型缓冲层，在源、漏区的位置分别形成LDS和LDD；最后再制作源区、漏区和体接触区完成器件。该方法制作的缓冲层处于漂移区表层 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-07-20 |
| 申请日期 | 2010-12-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010619485.4 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48529]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,何大伟,王中健,等. SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法. CN102130012A. 2011-07-20. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。