一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 程新红 ; 何大伟 ; 王中健 ; 徐大伟 ; 夏超 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 |
| 发表日期 | 2011-07-20 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102130013A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法，该方法首先对SOI衬底的顶层硅进行N型离子注入，使整个漂移区下方成为N型区域；然后对所述漂移区进行浅掺杂N型离子注入，在漂移区的表层形成浅掺杂N型缓冲层；之后通过版图对所形成的N型区域进行P型离子注入，在所述N型区域中形成等间隔的多个横向P型柱区，将所述N型区域划分为多个横向N型柱区，交替排列的P型柱区和N型柱区组成横向超结结构。本发明将缓冲层设于漂移区上方，可以抑制衬底辅助耗尽效应对SOI超结LDMOS漂移区电荷平衡的影响，提高了器件的击穿电 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-07-20 |
| 申请日期 | 2010-12-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010619508.1 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48531]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,何大伟,王中健,等. 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法. CN102130013A. 2011-07-20. |
入库方式： OAI收割
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