采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法
文献类型：专利
| 作者 | 魏星 ; 王中党 ; 叶斐 ; 曹共柏 ; 林成鲁 ; 张苗 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2011-07-20 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102130037A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；热处理器件衬底，从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固，使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区域转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-07-20 |
| 申请日期 | 2010-12-27 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010607936.2 |
| 专利代理 | 翟羽 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48533]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,王中党,叶斐,等. 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法. CN102130037A. 2011-07-20. |
入库方式： OAI收割
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