采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法
文献类型：专利
| 作者 | 魏星 ; 曹共柏 ; 张峰 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2011-07-20 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102130038A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；将氧离子注入至单晶硅衬底中，以在单晶硅衬底中形成富氧层，以及覆盖在富氧层表面的器件层；对注入后的单晶硅衬底实施第一次退火；对注入后的单晶硅衬底实施第二次退火，第二次退火气氛中氧浓度大于第一次退火气氛中的氧浓度，以增厚绝缘埋层。本发明的优点在于，采用了两步不同退火工艺的方法，第一次退火过程用于绝缘埋层形成以及器件层再结晶修复晶格损伤，第二次退火过程提高了气氛中的氧气浓度，用于增厚已形成的绝缘埋层，提高埋层质量，采用两次氧气浓度不同的退火 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-07-20 |
| 申请日期 | 2010-12-27 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010608050.X |
| 专利代理 | 翟羽 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48535]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,曹共柏,张峰,等. 采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法. CN102130038A. 2011-07-20. |
入库方式： OAI收割
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