一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法
文献类型：专利
| 作者 | 柴展 ; 陈静 ; 罗杰馨 ; 伍青青 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2011-09-14 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102184879A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法，通过建立TCAD工艺仿真程序得到不同沟道长度Lgate的工艺仿真MOS器件结构，在此基础上，根据实际器件的透射电镜TEM测试结果、二次离子质谱SIMS测试结果、CV测试结果、WAT测试结果及方块电阻测试结果对工艺仿真MOS器件结构进行校准，从而完成SOI场效应晶体管关键电学参数的TCAD仿真校准。本发明的校准方法可以使同一SOI工艺下各尺寸MOSFET关键参数Vt和Idsat的TCAD仿真结果均达到误差小于10%的高精度要求，并且能在多个Split |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-09-14 |
| 申请日期 | 2011-05-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110112178.1 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48575]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴展,陈静,罗杰馨,等. 一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法. CN102184879A. 2011-09-14. |
入库方式： OAI收割
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