多层堆叠电阻转换存储器结构
文献类型：专利
| 作者 | 张挺 ; 陈婉 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 封松林 ; 陈邦明 |
| 发表日期 | 2011-09-14 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102185104A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种多层堆叠电阻转换存储器结构，具有以下的特征：电阻转换存储器结构包括至少两层电阻转换存储层；每层的电阻转换存储层中含有选通管和对应的电阻转换存储单元，单个选通管选通至少两个电阻转换存储单元；选通管为双极型晶体管、肖特基二极管、PN二极管或者为氧化物二极管；多层堆叠电阻转换存储器结构还包含外围电路，各层电阻转换存储层共享外围电路。该器件结构能大幅提高存储器的密度，而且通过共享外围电路节省了外围电路的面积，并且多个存储单元共用选通管就有效地增大了选通二极管的面积，也就增大了选通管的驱动电流，给电阻 |
| 公开日期 | 2011-09-14 |
| 申请日期 | 2011-04-12 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110091476.7 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48577]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张挺,陈婉,宋志棠,等. 多层堆叠电阻转换存储器结构. CN102185104A. 2011-09-14. |
入库方式： OAI收割
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