沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容
文献类型：专利
| 作者 | 程新红 ; 徐大伟 ; 王中健 ; 夏超 ; 何大伟 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 |
| 发表日期 | 2011-10-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102226270A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容。其中，在沉积栅介质的方法中，首先采用O2等离子体及包含氮元素的等离子体对半导体衬底表面进行预处理，以便在所述半导体表面形成含氮的氧化层；接着，采用等离子增强原子层沉积法在所述含氮的氧化层表面生长高介电常数的栅介质层，且在该栅介质层生长过程中，所述氧化层转变为介电常数高于SiO2的缓冲层，在此基础上，再在已形成的半导体结构上下表面形成金属电极，由此便制备形成了MIS电容。本发明的优点在于：缓冲层的存在可以有效改善半导体材料与高k的栅介质层之间 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-10-26 |
| 申请日期 | 2011-04-29 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110110338.9 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48605]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,徐大伟,王中健,等. 沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容. CN102226270A. 2011-10-26. |
入库方式： OAI收割
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