一种相变存储材料及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 吕业刚 ; 宋三年 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 饶峰 ; 吴良才 |
| 发表日期 | 2011-10-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102227015A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种相变存储材料及其制备方法，其中所述相变存储材料为镓-锑-硒的化合物。化学组分为GaxSbySez，其中4 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-10-26 |
| 申请日期 | 2011-05-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110135885.2 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48609]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕业刚,宋三年,宋志棠,等. 一种相变存储材料及其制备方法. CN102227015A. 2011-10-26. |
入库方式： OAI收割
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