一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 曹远迎 ; 李耀耀 ; 张永刚 ; 顾溢 ; 王凯 |
| 发表日期 | 2011-11-30 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102260870A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si3N4、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法(RIE)刻蚀Si3N4、去除光刻胶、电感耦合等离子体刻蚀法(ICP)刻蚀衬底材料、去除Si3N4。本发明弥补了全息干涉难以利用正性光刻胶制得二维介质柱型光子晶体的不足，与电子束曝光等方法相比，具有操作简单、价格低廉、控制精确，且能大面积制备等优点，能够很好的满足了制备亚微米尺寸二维介质型光子晶体的需要，具有良好的应用前景。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-11-30 |
| 申请日期 | 2011-07-15 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110198078.5 |
| 专利代理 | 黄志达 ; 谢文凯 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48611]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹远迎,李耀耀,张永刚,等. 一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法. CN102260870A. 2011-11-30. |
入库方式： OAI收割
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