可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液
文献类型：专利
| 作者 | 王良咏 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 刘卫丽 ; 封松林 |
| 发表日期 | 2011-12-07 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102268224A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液，此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准，包含下列重量百分比的原料组分：氧化硅抛光颗粒0.2-30wt％；表面活性剂0.01-4wt％；有机添加剂0.01-5wt％；pH调节剂和水性介质为余量；所述化学机械抛光液的pH值范围为9-12。本发明的化学机械抛光液氧化硅薄膜去除速率可控，可满足半导体应用中氧化硅介电材料在CMP工艺中的要求。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-12-07 |
| 申请日期 | 2010-06-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010189145.2 |
| 专利代理 | 许亦琳 ; 余明伟 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48617]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王良咏,宋志棠,刘波,等. 可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液. CN102268224A. 2011-12-07. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。