一种相变材料抛光后清洗液
文献类型：专利
| 作者 | 王良咏 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 刘卫丽 ; 钟旻 ; 封松林 |
| 发表日期 | 2011-12-07 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102268332A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改善化学机械抛光工艺控制和提高相变存储器件性能。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-12-07 |
| 申请日期 | 2010-06-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010189161.1 |
| 专利代理 | 许亦琳 ; 余明伟 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48619]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王良咏,宋志棠,刘波,等. 一种相变材料抛光后清洗液. CN102268332A. 2011-12-07. |
入库方式： OAI收割
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