一种薄GOI晶片及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张苗 ; 陈达 ; 卞剑涛 ; 姜海涛 ; 薛忠营 |
| 发表日期 | 2011-12-21 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102290369A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种薄GOI晶片及其制备方法，本发明采用高低温生长Ge薄膜的方法，使穿透位错等缺陷被限制在一个薄层内，并结合SmartCut技术，实现了一种顶层Ge薄膜厚度几十纳米至上百纳米可控的GOI衬底的制备，该GOI衬底结合了Ge材料和SOI材料的双重特点，所形成的器件具有载流子迁移率高、寄生电容低、耐辐射效应强及简化器件隔离等特点，并且通过本方法可以制备出带有应变或完全弛豫的GOI层，以满足不同器件的需要。本发明的制备方法工艺简单，可用于大规模的工业生产。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-12-21 |
| 申请日期 | 2011-09-22 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110282849.9 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48637]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张苗,陈达,卞剑涛,等. 一种薄GOI晶片及其制备方法. CN102290369A. 2011-12-21. |
入库方式： OAI收割
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