制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底
文献类型：专利
| 作者 | 魏星 ; 仰庶 ; 曹共柏 ; 张峰 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2011-12-28 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102299093A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供第一衬底与第二衬底；在第一衬底表面外延形成器件层；在第二衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层和器件层为中间层，将第一衬底和第二衬底键合在一起；对键合后的衬底实施第一退火步骤；去除第一衬底，形成由器件层、绝缘层和第二衬底构成的带有绝缘埋层的半导体衬底；对此带有绝缘埋层的半导体衬底实施第二退火步骤，所述第二退火步骤的退火温度大于第一退火步骤的退火温度。本发明的优点在于，得到的SOI材料顶层硅完全由外延材料组成，与常规工艺生产的SOI材料顶层半导体 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-12-28 |
| 申请日期 | 2011-06-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110183212.4 |
| 专利代理 | 孙佳胤 ; 翟羽 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48643]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,仰庶,曹共柏,等. 制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底. CN102299093A. 2011-12-28. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。