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结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法

文献类型:专利

作者林志浪 ; 张峰 ; 王永进 ; 程新利
发表日期2004-03-03
专利国别中国
专利号CN1479136
专利类型发明
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法,包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导,其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料,每条调制波导有各自独立的载流子注入区域,调制波导之间的连接通过利用硅的各向异性腐蚀特性或反应离子刻蚀技术制得的全内反射波导实现,且两相邻调制波导的轴线相互垂直,在短距离、小面积范围内实现了调制波导的紧凑排列,解决了载流子吸收型硅波导光强度调制器的调制深度与器件长度之间的矛盾;同时通过设计、调整全内反射波导的位置和方向,调制波导可以与不同位置的输入输出波导实现灵
是否PCT专利
公开日期2004-03-03
申请日期2003-07-04
语种中文
专利申请号03141411.7
专利代理潘振甦
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48675]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
林志浪,张峰,王永进,等. 结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法. CN1479136. 2004-03-03.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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