采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法
文献类型：专利
| 作者 | 董业民 ; 王曦 ; 陈猛 ; 陈静 |
| 发表日期 | 2004-09-15 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1529342 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及了一种采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法，属于微电子技术领域，依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙为掩模刻蚀出阻挡离子注入的掩模，离子注入和高温退火等步骤，其特征在于：(1)采用常规工艺形成纳米侧墙，其厚度为30～100nm；(2)以侧墙为掩模刻蚀下层薄膜形成阻挡离子注入的掩模，厚度为100～800nm；(3)注入离子的能量为20～200keV，相应的剂量为1.0～7.0×1017cm-2，衬底温度为400～700℃；(4)退火温度为1200～1375 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2004-09-15 |
| 申请日期 | 2003-09-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 03151253.4 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48695]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董业民,王曦,陈猛,等. 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法. CN1529342. 2004-09-15. |
入库方式： OAI收割
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